论文《相变存储器单元总剂量辐射效应的研究》探讨了在总剂量辐射环境下相变存储器单元的性能变化。研究通过实验分析了辐射对存储器材料和结构的影响，揭示了辐射导致的电学特性退化机制。该成果为提升相变存储器在高辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持，对航天、核能等领域的应用具有重要意义。
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