本文研究了偏压条件对Flash存储器在总剂量辐照下性能影响。通过实验分析不同偏压状态下存储器的辐射敏感性，发现偏压显著影响器件的阈值电压漂移和数据保持能力。结果表明，在特定偏压条件下，存储器的抗辐射能力有所增强，为提高Flash存储器在辐射环境中的可靠性提供了理论依据。
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