会议论文《锰离子掺杂对SnO2-Sb2O3系压敏材料电性能的影响》探讨了锰离子掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏材料电性能的影响。研究通过实验分析了不同掺杂浓度下材料的非线性特性、击穿电压及电阻率变化，结果表明适量锰掺杂可显著改善材料的压敏性能，为高性能压敏材料的开发提供了理论依据。
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