会议论文《绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究》发表于第21届电路与系统学术年会，旨在探讨基于绝缘体上硅（SOI）技术的射频LDMOS器件的大信号行为。该研究通过建立精确的模型，分析了器件在高频大功率下的电特性，为射频集成电路的设计提供了理论支持和实用参考。
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