离子注入制备Si基稀磁半导体研究 - 全国第十二届电子束离子束学术年会、第九届电子束焊接学术交流会、第十一届离子源学术交流会、高能束加工技术研讨会、第十届粒子加速器学术交流会暨荷电粒子源、粒子束会议.pdf

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2026-1-12 17:09 | 查看全部阅读模式

会议论文《离子注入制备Si基稀磁半导体研究》探讨了通过离子注入技术制备硅基稀磁半导体的方法。该研究针对传统半导体材料的局限性，提出利用离子注入改性硅材料，以实现其磁性调控。文章分析了不同注入参数对材料性能的影响，为开发新型半导体器件提供了理论依据和技术支持。

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