基于PDSOI工艺下的I_O设计 - 第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET08).pdf

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2026-1-12 11:31 | 查看全部 阅读模式

会议论文《基于PDSOI工艺下的I_O设计》发表于第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET08)。该文探讨了在PDSOI(部分耗尽绝缘体上硅)工艺下,输入输出电路的设计方法与优化策略。研究针对SOI技术的特性,提出了适用于高速、低功耗应用的I/O结构,提升了芯片性能与可靠性。论文为先进半导体工艺下的集成电路设计提供了理论支持和实践参考。

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基于PDSOI工艺下的I_O设计 - 第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET08)
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