本文介绍了基于新型双多晶BCD工艺的VDMOS器件集成优化研究。该研究针对传统工艺的局限性，提出改进方案以提升器件性能与集成度。通过优化工艺流程和结构设计，实现了更高的功率密度与更低的导通电阻。研究成果为高性能功率半导体器件的发展提供了新思路，具有重要的应用价值。
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