会议论文《MOSFET迁移率随温度变化关系研究》探讨了MOSFET器件中载流子迁移率与温度之间的关系。该研究通过实验分析和理论模型，揭示了温度对器件性能的影响机制，为优化MOSFET设计和提高器件稳定性提供了依据。论文发表于中国电子学会第十四届青年学术年会，具有重要的学术价值和应用前景。
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