会议论文《GaN基HEMT栅终端场板击穿特性研究》探讨了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）中栅终端场板的击穿特性。该研究针对器件在高电压下的可靠性问题，分析了场板结构对击穿电压的影响，提出了优化设计方法。通过实验与模拟相结合的方式，验证了改进后的结构能够有效提升器件的击穿性能，为高性能GaN功率器件的设计提供了理论依据和技术支持。
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