该会议论文研究了500V体硅N-LDMOS器件的终端技术,旨在提高器件的击穿电压和可靠性。通过优化终端结构设计,如场限环和场板技术,有效改善电场分布,降低边缘电场强度,从而提升器件性能。研究成果对高压功率器件的设计与应用具有重要参考价值。
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