阱垒生长温差对GaN基蓝色多量子阱LED的影响 - 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009).pdf

会议论文《阱垒生长温差对GaN基蓝色多量子阱LED的影响》发表于第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)。该文研究了在GaN基蓝色LED中，量子阱与势垒层生长温度差异对器件性能的影响。通过优化生长温差，改善了载流子限制和发光效率，为提高LED性能提供了重要参考。

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阱垒生长温差对GaN基蓝色多量子阱LED的影响 - 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009).pdf

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