退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响 - 第六届中国热处理活动周.pdf

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2026-1-11 22:06 | 查看全部 阅读模式

会议论文《退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响》探讨了不同退火温度下,Al、Cu、Ni三种金属对硅薄膜晶化过程的影响。研究结果表明,退火温度显著影响薄膜的结晶质量与结构。通过分析不同温度下的微观结构变化,论文为优化硅薄膜制备工艺提供了理论依据。

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退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响 - 第六届中国热处理活动周
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