会议论文《超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应》探讨了在第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会上关于先进存储器在辐射环境下的性能变化。文章分析了超深亚微米技术下SRAM和Flash器件对辐射的敏感性，研究了单粒子效应及总剂量效应的影响，为提高存储器的抗辐射能力提供了理论依据和技术参考。
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