会议论文《硅材料中氮化硅盖帽层引入应力的研究》探讨了氮化硅作为盖帽层在硅材料中的应用及其对材料应力状态的影响。该研究针对半导体制造过程中氮化硅层的应力特性进行了深入分析，为优化器件性能和可靠性提供了理论依据。文章通过实验与模拟相结合的方法，揭示了氮化硅层对硅基材料应力分布的作用机制，对集成电路工艺改进具有重要意义。
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