会议论文《中子发生器中二次电子抑制的数值模拟》发表于2009年系统仿真技术及其应用学术会议（CCSSTA2009）。该文通过数值模拟方法研究了中子发生器中二次电子的产生与抑制机制，旨在提高中子源的效率与稳定性。研究采用计算物理方法，分析了电子在不同电场和材料条件下的行为，为优化中子发生器设计提供了理论依据和技术支持。
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