会议论文《VDMOS器件ESD保护结构的设计》探讨了在电力电子领域中，如何有效提升VDMOS器件的静电放电（ESD）耐受能力。文章分析了传统保护结构的不足，并提出了一种新型设计方法，以增强器件在高电压冲击下的稳定性与可靠性。该研究对提高电力电子设备的抗干扰能力和使用寿命具有重要意义，为相关领域的技术发展提供了理论支持和实践参考。
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