会议论文《CMOS SOI SRAM电路的抗单粒子能力研究》针对CMOS SOI SRAM电路在单粒子效应下的可靠性进行了深入分析。文章通过实验与仿真方法，探讨了单粒子引起的翻转现象及其对电路性能的影响，提出了提高抗单粒子能力的设计优化策略，为高可靠性电子系统提供了理论支持和技术参考。
文档为pdf格式，0.5MB，总共6页。
举报
