会议论文《AIN纳米锥的图案化生长及场发射性能研究》介绍了通过特定方法在基底上实现AIN纳米锥的图案化生长，并探讨其场发射性能。该研究对氮化铝材料在微电子和真空电子器件中的应用具有重要意义，为高性能场发射材料的开发提供了新思路。
文档为pdf格式，0.7MB，总共5页。
举报
