54HC04稳态与脉冲伽马总剂量辐射效应异同性研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 08:19 | 查看全部 阅读模式

会议论文《54HC04稳态与脉冲伽马总剂量辐射效应异同性研究》探讨了54HC04集成电路在不同辐射环境下(稳态与脉冲伽马射线)的总剂量效应差异。研究通过实验分析了两种辐射模式对器件性能的影响,揭示了其在辐射响应机制上的异同点,为抗辐射设计提供了理论依据和技术参考。

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54HC04稳态与脉冲伽马总剂量辐射效应异同性研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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