会议论文《采用MOCVD技术在GaN衬底上生长p型GaP薄膜的研究》探讨了利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在GaN衬底上制备p型GaP薄膜的工艺与性能。研究分析了生长参数对薄膜质量的影响，旨在提升p型GaP的电学特性，为光电子器件的应用提供支持。
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