会议论文《辉光放电质谱法测量多晶硅中痕量杂质》发表于2010年全国质谱大会暨第三届世界华人质谱研讨会。该文探讨了利用辉光放电质谱技术对多晶硅中痕量杂质进行分析的方法,展示了其在半导体材料检测中的应用价值。研究通过优化实验条件,提高了检测灵敏度和准确性,为多晶硅材料的质量控制提供了可靠的技术支持。
文档为pdf格式,0.11MB,总共2页。
举报