本文研究了脉冲占空比对TC4钛合金微弧氧化陶瓷膜及电流密度的影响。通过实验发现，随着脉冲占空比的变化，陶瓷膜的厚度、致密性及电流密度均发生显著变化。适当调整占空比可优化膜层性能，提高其表面质量与耐磨性。该研究为微弧氧化工艺参数的优化提供了理论依据和技术支持。
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