会议论文《纳米折叠InGaN_GaN多量子阱发光二极管》介绍了通过纳米折叠技术优化InGaN/GaN多量子阱结构的发光二极管。该研究旨在提升器件的光输出效率和能效，通过结构设计改善载流子 confinement 效果。论文在第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，展示了新型LED结构的研究进展与应用潜力。
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