电应力致AlGaN_GaN HEMT的应力松弛研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 05:37 | 查看全部 阅读模式

会议论文《电应力致AlGaN_GaN HEMT的应力松弛研究》探讨了在电应力作用下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中应力松弛的现象及其对器件性能的影响。研究通过实验分析,揭示了电场与热效应共同作用下的应力演化机制,为提升器件稳定性和可靠性提供了理论依据。

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电应力致AlGaN_GaN HEMT的应力松弛研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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