会议论文《深结n+_n-型Si衬底扩散技术》介绍了在2010年全国半导体器件技术研讨会上提出的关于硅衬底扩散工艺的研究成果。该论文重点探讨了深结n+_n-型结构的扩散技术，旨在提高半导体器件的性能和可靠性。通过优化扩散参数，实现了更精确的掺杂控制，为高性能集成电路的发展提供了技术支持。
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