2010年全国半导体器件技术研讨会的会议论文《一种NMOS控制AlGaN_GaN HFET高压功率混合集成器件》介绍了基于AlGaN/GaN异质结的高压功率器件设计。该研究通过将NMOS与HFET结合，实现了更高的功率密度和效率。论文探讨了器件结构、工作原理及性能优化方法，对高性能功率电子器件的发展具有重要意义。
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