SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究 - 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会.pdf

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2026-1-11 00:42 | 查看全部 阅读模式

会议论文《SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究》发表于第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会。该文研究了SRAM型FPGA在总剂量辐射环境下的性能变化,分析了辐射对器件逻辑功能和存储单元的影响,提出了可能的抗辐射设计策略,为高辐射环境下FPGA的应用提供了理论依据和技术支持。

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SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究 - 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
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