一种具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 17:39 | 查看全部阅读模式

会议论文《一种具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS》介绍了基于体内RESURF技术的槽栅型VDMOS器件结构。该结构通过优化电场分布，提高了器件的击穿电压和导通性能。研究旨在解决传统VDMOS在高电压下存在的电场集中问题，为功率半导体器件的发展提供了新的思路。

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