会议论文《多晶硅片晶界对电阻率测试值的影响》探讨了多晶硅材料中晶界结构对电阻率测量结果的影响。研究指出，晶界处的缺陷和杂质会显著改变局部电导特性，导致电阻率测试值出现偏差。该文为提高多晶硅片电阻率测试的准确性提供了理论依据和技术参考，对光伏材料质量控制具有重要意义。
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