一种新型的4H-SiC沟槽型MOS势垒肖特基二极管的设计和模拟研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 11:14 | 查看全部阅读模式

本文介绍了新型4H-SiC沟槽型MOS势垒肖特基二极管的设计与模拟研究。通过优化沟槽结构和界面特性，提高了器件的性能与可靠性。研究采用仿真方法分析了电场分布、导通电阻及反向漏电流等关键参数，为高性能功率器件的发展提供了理论依据和技术支持。

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