会议论文《双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀》探讨了在石英晶体微加工中如何通过使用双重掩蔽层技术提高刻蚀的深宽比。该研究针对高精度、高深宽比的刻蚀需求，提出了一种有效的工艺方法，有助于提升石英晶体器件的性能和可靠性，对半导体器件产业发展具有重要意义。
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