会议论文《Single-event Sensitivity Analysis of 65nm DICE Memory Cell》探讨了65nm DICE存储单元在单粒子效应下的敏感性。该研究针对微处理器技术中的关键问题，分析了单粒子事件对存储器性能的影响，为提高芯片可靠性提供了理论依据和技术支持。本文发表于第十八届计算机工程与工艺年会暨第四届微处理器技术论坛，具有重要的学术和应用价值。
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