CMOS工艺单片机IO电路电离辐射效应模拟计算 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

会议论文《CMOS工艺单片机IO电路电离辐射效应模拟计算》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该文研究了CMOS工艺下单片机IO电路在电离辐射环境中的响应特性，通过模拟计算分析了辐射对电路性能的影响，为提高电子设备的抗辐射能力提供了理论依据和技术支持。

文档为pdf格式，3MB，总共8页。

CMOS工艺单片机IO电路电离辐射效应模拟计算 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

文件大小:

3 MB

高速下载