会议论文《高压C-SenseFET器件温度特性研究》探讨了高压C-SenseFET在不同温度下的性能变化。研究通过实验分析了温度对器件阈值电压、电流特性及稳定性的影响，为高温环境下器件的可靠应用提供了理论依据和技术支持。该论文发表于2014年全国半导体器件产业发展研讨会，对推动半导体器件技术发展具有重要意义。
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