辐照总剂量对SOINMOS器件阈值电压影响的定量研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

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2026-1-10 08:44 | 查看全部 阅读模式

会议论文《辐照总剂量对SOINMOS器件阈值电压影响的定量研究》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该文系统研究了不同辐照总剂量下SOINMOS器件阈值电压的变化规律,通过实验与分析,揭示了辐射效应对其电学性能的影响机制,为高辐射环境下器件可靠性评估提供了重要参考。

文档为pdf格式,0.47MB,总共6页。

辐照总剂量对SOINMOS器件阈值电压影响的定量研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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