会议论文《腐蚀量及氧化方式对多孔硅电子源发射特性的影响》探讨了不同腐蚀量和氧化处理方式对多孔硅作为电子源发射性能的影响。研究结果表明，腐蚀量和氧化条件显著影响多孔硅的结构和表面性质，进而改变其电子发射特性。该研究为优化多孔硅电子源的性能提供了理论依据和技术参考，具有重要的应用价值。
文档为pdf格式，0.68MB，总共3页。
举报
