会议论文《考虑温度效应的环栅无结纳米线场效应晶体管阈值电压模型》探讨了在不同温度条件下，环栅无结纳米线场效应晶体管的阈值电压变化特性。该研究建立了包含温度因素的阈值电压模型，为高性能纳米线晶体管的设计与优化提供了理论依据。论文对半导体器件在宽温域下的性能表现具有重要意义，适用于先进集成电路和低温电子器件的研究。
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