会议论文《新型双栅MOSFET的亚阈值电势二维模型》探讨了双栅MOSFET器件在亚阈值区域的电势分布特性。通过建立二维数学模型，该研究深入分析了器件结构对电势的影响，为优化器件性能提供了理论依据。该成果对于提升半导体器件的性能和可靠性具有重要意义。
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