会议论文《中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离射翻转效应实验研究》探讨了中子辐照对CMOS工艺静态随机存储器（SRAM）造成瞬时电离射翻转效应的实验分析。研究通过实验手段评估了不同中子通量下SRAM的抗辐射性能，揭示了电离辐射对器件功能的影响机制，为提高电子设备在辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持。
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