会议论文《TSV诱发应力对邻近MOS器件特性的影响》探讨了三维集成技术中硅通孔（TSV）引起的机械应力对周边MOS晶体管性能的影响。研究通过仿真与实验分析，揭示了应力分布对载流子迁移率、阈值电压及漏电流的显著影响，为优化三维芯片设计提供了理论依据和技术支持。
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