会议论文《漂移区部分氧化柱体硅LDMOS》发表于中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会，主要研究一种新型的LDMOS器件结构。该论文提出在漂移区采用部分氧化柱体硅技术，以提高器件的击穿电压和导通性能。通过优化结构设计，有效改善了传统LDMOS在高压应用中的性能瓶颈，为功率半导体器件的发展提供了新思路。
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