K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究 - 第十八届全国高技术陶瓷学术年会.pdf

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2026-1-10 01:26 | 查看全部 阅读模式

会议论文《K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究》探讨了通过高浓度K和Mg交替掺杂对BST薄膜介电性能的影响。研究结果表明,这种掺杂方式有效改善了材料的介电常数和介电损耗,为高性能微波器件提供了新的材料选择。该成果在第十八届全国高技术陶瓷学术年会上发表,具有重要的理论与应用价值。

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K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究 - 第十八届全国高技术陶瓷学术年会
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