GaAs1-xBix薄膜的制备、结构及性能研究进展 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 01:21 | 查看全部阅读模式

本文介绍了GaAs1-xBix薄膜的制备方法、结构特性及性能研究进展。通过不同制备技术，如分子束外延和化学气相沉积，实现了该材料的生长。研究显示，Bi的掺入可有效调节带隙，拓展其在光电子器件中的应用。文章还探讨了薄膜的晶体质量、光学性质及潜在应用前景，为后续研究提供了重要参考。

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