溶剂热法低温180℃合成α-Si3N4籽晶 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

3 0

2026-1-10 14:36 | 查看全部阅读模式

会议论文《溶剂热法低温180℃合成α-Si3N4籽晶》介绍了采用溶剂热法制备α-Si3N4籽晶的新方法。该研究在180℃的低温条件下成功合成了高质量的α-Si3N4晶体，为半导体材料的制备提供了新思路。该成果对于推动半导体器件技术的发展具有重要意义，展示了微纳电子技术领域的创新成果。

文档为pdf格式，0.71MB，总共4页。