Ag纳米粒子层对DNA忆阻器的影响 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 01:08 | 查看全部阅读模式

会议论文《Ag纳米粒子层对DNA忆阻器的影响》探讨了Ag纳米粒子层在DNA忆阻器中的作用。研究显示，Ag纳米粒子能够显著改善器件的电学性能，增强其记忆特性。该文为新型存储器件的开发提供了理论支持和技术参考，具有重要的应用价值。

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