会议论文《AlGaN/GaN HEMT器件反向栅泄漏电流机理研究》探讨了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在反向偏置下的漏电流特性。通过实验与分析，研究揭示了漏电流的主要来源及其对器件性能的影响，为优化器件设计和提高可靠性提供了理论依据。
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