会议论文《10纳米GaAs_AlAs超晶格薄膜厚度准确测量技术》介绍了用于精确测量超晶格薄膜厚度的新方法。该研究针对10纳米级别的GaAs/AlAs超晶格结构，提出了一种高精度的测量技术，提高了半导体器件制造中的工艺控制水平。文章在2014年全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会上发表，对微纳电子技术的发展具有重要意义。
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