100 μm厚10 kV级4H-SiC功率器件材料生长 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

该会议论文介绍了100 μm厚10 kV级4H-SiC功率器件材料的生长技术，展示了在高电压应用中4H-SiC的优势。研究聚焦于材料质量提升与工艺优化，为高性能功率器件的发展提供了重要参考。

","role":"assistant

文档为pdf格式，0.5MB，总共5页。

100 μm厚10 kV级4H-SiC功率器件材料生长 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

文件大小:

512 KB

高速下载