该论文研究了背电极对AlGaN/GaN RESURF HEMT器件击穿电压的影响。通过实验和仿真分析，发现背电极的结构和材料特性显著影响器件的电场分布和击穿性能。结果表明，优化背电极设计可以有效提高器件的击穿电压，从而提升其功率性能和可靠性。该研究为高性能GaN功率器件的设计提供了理论依据和技术支持。
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