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该论文研究了背电极对AlGaN/GaN RESURF HEMT器件击穿电压的影响。通过实验和仿真分析，发现背电极的结构和材料特性显著影响器件的电场分布和击穿性能。结果表明，优化背电极设计可以有效提高器件的击穿电压，从而提升其功率性能和可靠性。该研究为高性能GaN功率器件的设计提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，1.16MB，总共4页。
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- 背电极对AlGaN_GaN RESURF HEMT击穿电压的影响 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.p ...
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