该论文介绍了基于BCD工艺的高压LDMOS器件的设计与研究，旨在提升功率器件的性能和可靠性。文章分析了LDMOS结构参数对器件特性的影响，优化了设计方法，并通过实验验证了其在高压应用中的优势。研究成果为高耐压功率集成电路的发展提供了理论支持和技术参考。
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