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基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf

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2025-12-14 21:35 | 查看全部阅读模式

该论文介绍了基于BCD工艺的高压LDMOS器件的设计与研究，旨在提升功率器件的性能和可靠性。文章分析了LDMOS结构参数对器件特性的影响，优化了设计方法，并通过实验验证了其在高压应用中的优势。研究成果为高耐压功率集成电路的发展提供了理论支持和技术参考。

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基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

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